DRV8106 ยานยนต์ Half Bridge Gate IC

รายละเอียดสินค้า

DRV8106-Q1 ตัวขับสมาร์ทเกตแบบ Half-Bridge พร้อมโหมดทั่วไปแบบกว้าง Inline Current Sense แอมพลิฟายเออร์IC

คำอธิบาย:

DRV8106-Q1 เป็นไดรเวอร์เกทแบบ half-bridge แบบบูรณาการระดับสูง ซึ่งสามารถขับ MOSFET กำลังไฟฟ้า N-channel ด้านสูงและต่ำได้มันสร้างแรงดันไฟฟ้าของเกทไดรฟ์ที่เหมาะสมโดยใช้ปั๊มประจุดับเบิลในตัวสำหรับด้านสูงและตัวควบคุมเชิงเส้นสำหรับด้านต่ำ

อุปกรณ์นี้ใช้สถาปัตยกรรมไดรฟ์เกตอัจฉริยะเพื่อลดต้นทุนของระบบและปรับปรุงความน่าเชื่อถือตัวขับเกทจะปรับเวลาตายให้เหมาะสมที่สุดเพื่อหลีกเลี่ยงสภาวะการยิงทะลุ ให้การควบคุมเพื่อลดการรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า (EMI) ผ่านกระแสของตัวขับเกทที่ปรับได้ และป้องกันการระบายน้ำไปยังแหล่งกำเนิดและสภาวะลัดวงจรของเกทด้วย VDS และ VGS จอภาพ

แอมพลิฟายเออร์แบ่งโหมดทั่วไปแบบกว้างให้การตรวจจับกระแสอินไลน์เพื่อวัดกระแสมอเตอร์อย่างต่อเนื่องแม้ระหว่างหน้าต่างหมุนเวียนแอมพลิฟายเออร์สามารถใช้ในการกำหนดค่าความรู้สึกด้านต่ำหรือด้านสูง หากไม่ต้องการการตรวจจับแบบอินไลน์

DRV8106-Q1 มีคุณสมบัติการป้องกันมากมายเพื่อให้แน่ใจว่าการทำงานของระบบแข็งแกร่งซึ่งรวมถึงจอภาพแรงดันต่ำและแรงดันเกินสำหรับปั๊มจ่ายไฟและปั๊มชาร์จ VDS กระแสเกินและ VGS ตัวตรวจสอบความผิดพลาดของเกทสำหรับ MOSFET ภายนอก การวินิจฉัยการโหลดแบบเปิดและไฟฟ้าลัดวงจรแบบออฟไลน์ และการเตือนความร้อนภายในและการป้องกันการปิดเครื่อง

คุณสมบัติ :

AEC-Q100 ผ่านการรับรองสำหรับการใช้งานด้านยานยนต์:
ระดับอุณหภูมิ 1: –40°C ถึง +125°C, TA
ตัวขับสมาร์ทเกทครึ่งสะพาน
ช่วงการทำงาน 4.9-V ถึง 37-V (สูงสุด 40-V abs)
ปั๊มชาร์จสองเท่าสำหรับ 100% PWM
ปักหมุดเพื่อปักหมุดไดรเวอร์เกทรุ่นต่างๆ
DRV8705-Q1: H-bridge พร้อมเครื่องขยายเสียงด้านต่ำ
DRV8706-Q1: H-bridge พร้อมแอมพลิฟายเออร์อินไลน์
สถาปัตยกรรมไดรฟ์เกตอัจฉริยะ
การควบคุมอัตราการแกว่งที่ปรับได้
0.5-mA ถึง 62-mA เอาต์พุตกระแสไฟสูงสุดของแหล่งกำเนิด
เอาต์พุตกระแสไฟซิงค์สูงสุด 0.5-mA ถึง 62-mA
การจับมือกัน Dead-time แบบบูรณาการ
แอมพลิฟายเออร์ shunt กระแสสลับโหมดทั่วไปกว้าง
รองรับอินไลน์ ด้านสูง หรือด้านต่ำ
การตั้งค่าเกนที่ปรับได้ (10, 20, 40, 80 V/V)
ตัวต้านทานป้อนกลับแบบบูรณาการ
รูปแบบการเว้นว่าง PWM ที่ปรับได้
มีตัวเลือกอินเทอร์เฟซหลายตัว
SPI: การกำหนดค่าและการวินิจฉัยโดยละเอียด
H/W: การควบคุมที่ง่ายขึ้นและหมุด MCU น้อยลง
การตอกบัตรสเปกตรัมเพื่อลด EMI
แพ็คเกจ VQFN ขนาดกะทัดรัดพร้อมปีกนกแบบเปียกได้
คุณสมบัติการป้องกันแบบบูรณาการ
พินปิดการใช้งานไดรเวอร์เฉพาะ (DRVOFF)
ตัวตรวจสอบแรงดันไฟจ่ายและตัวควบคุม
MOSFET VDS จอภาพกระแสเกิน
MOSFET VGS ตัวตรวจสอบความผิดพลาดของเกท
ปั๊มชาร์จสำหรับ MOSFET . ขั้วย้อนกลับ
โหลดแบบออฟไลน์และการวินิจฉัยไฟฟ้าลัดวงจร
คำเตือนและการปิดระบบระบายความร้อนของอุปกรณ์
พินขัดจังหวะเงื่อนไขข้อผิดพลาด (nFAULT)

ข้อมูลจำเพาะ:

จำนวนสะพานเต็ม 1/2 เทียบกับ (ต่ำสุด) (วี) 4.5 เทียบกับ ABS (สูงสุด) (V) 40

กระแสไฟสลีป (uA) 2.5

โหมดควบคุม PWM อินเทอร์เฟซการควบคุม ฮาร์ดแวร์ (GPIO), SPI คุณสมบัติ แอมพลิฟายเออร์ Sense แบบอินไลน์ ไดรฟ์ Smart Gate เรตติ้ง ยานยนต์ ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน (C) -40 ถึง 125

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก