ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคนำไฟฟ้า SMD 100UF 16V
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคนำไฟฟ้า
,ตัวเก็บประจุ SMD 100UF 16V
,ตัวเก็บประจุ 100uf 16v smd
ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าแบบชิป 100 ยูเอฟ 16 โวลต์ V-chip Series ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค
ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าแบบชิป 100 ยูเอฟ 16 โวลต์ V-chip Series ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค
การใช้ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กทรอนิกส์:
เครื่องใช้ไฟฟ้า,
การควบคุมอุตสาหกรรม
พลังงานใหม่
การสื่อสาร,
ยา,
ระบบติดตั้งบนรถ,
แสงสว่าง,
ความปลอดภัย,
อะแดปเตอร์ไฟ,
เมตรและหน่วยสืบราชการลับ
หน้าที่ของตัวเก็บประจุ
1. การมีเพศสัมพันธ์;
2. การกรอง
ข้อมูลจำเพาะของตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ VT-Chip:
| หมวดหมู่ |
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค
|
| ชุด |
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์ V-Chip |
| ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน | -55 ~ +125℃ |
| จัดอันดับช่วงแรงดันใช้งาน | 6.3 - 100V |
| ช่วงความจุที่กำหนด | 0.1 ~ 1500 μF |
| กระแสไฟรั่ว | L≤0.01CV or3(μA) แล้วแต่จำนวนใดจะวัดได้มากกว่าหลังจากใช้ค่าที่กำหนดเป็นเวลา 2 นาที แรงดันใช้งานที่ +20℃ |
| มาตรฐาน | JIS-C-5101-4 (IEC 60384) |
หมวดหมู่ตัวเก็บประจุของเรา:
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค V-Chip
ตัวเก็บประจุที่เป็นของแข็งอะลูมิเนียมโพลีเมอร์นำไฟฟ้า,
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม,
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแน็ปอิน
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์แบบสกรู
VT Series (0.1uf-1500uf 4v-100v ) ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์แบบชิป:
| หมวดหมู่ | ชุด | ช่วงอุณหภูมิ (℃) | แรงดันไฟฟ้า (V) | ความจุ(ยูเอฟ) | ข้อมูลจำเพาะ | ระลอกปัจจุบัน | อายุการใช้งาน(ชม.) |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 22 | 4*5.4 | 29 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 33 | 4*5.4 | 29 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 47 | 4*5.4 | 36 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 100 | 5*5.4 | 47 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 220 | 6.3*5.4 | 74 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 330 | 6.3*7.7 | 105 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 470 | 8*10.2 | 300 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 1000 | 8*10.2 | 300 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 6.3V | 1500 | 10*10.2 | 480 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 10V | 22 | 4*5.4 | 28 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 10V | 33 | 4*5.4 | 29 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 10V | 47 | 5*5.4 | 43 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 10V | 100 | 6.3*5.4 | 71 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 10V | 220 | 6.3*7.7 | 105 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 10V | 330 | 8*10.2 | 196 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 10V | 470 | 8*10.2 | 200 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 10V | 1000 | 10*10.2 | 400 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 10 | 4*5.4 | 28 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 22 | 4*5.4 | 28 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 33 | 5*5.4 | 35 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 47 | 5*5.4 | 39 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 100 | 6.3*5.4 | 70 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 150 | 6.3*7.7 | 105 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 220 | 8*10.2 | 150 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 330 | 8*10.2 | 170 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 470 | 8*10.2 | 340 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 16V | 680 | 10*10.2 | 380 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 4.7 | 4*5.4 | 22 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 10 | 4*5.4 | 22 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 22 | 4*5.4 | 35 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 33 | 6.3*5.4 | 65 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 47 | 6.3*5.4 | 70 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 100 | 6.3*7.7 | 91 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 220 | 8*10.2 | 160 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 330 | 8*10.2 | 180 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 25V | 470 | 10*10.2 | 360 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 35V | 4.7 | 4*5.4 | 22 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 35V | 10 | 5*5.4 | 30 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 35V | 22 | 6.3*5.4 | 60 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 35V | 33 | 6.3*5.4 | 65 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 35V | 47 | 6.3*7.7 | 84 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 35V | 100 | 8*10.2 | 120 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 35V | 220 | 8*10.2 | 170 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 35V | 330 | 10*10.2 | 250 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 0.1 | 4*5.4 | 1 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 0.22 | 4*5.4 | 2 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 0.33 | 4*5.4 | 3 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 0.47 | 4*5.4 | 5 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 1 | 4*5.4 | 10 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 2.2 | 4*5.4 | 16 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 3.3 | 4*5.4 | 16 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 4.7 | 5*5.4 | 23 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 10 | 6.3*5.4 | 35 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 33 | 6.3*7.7 | 70 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 100 | 8*10.2 | 110 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 220 | 10*10.2 | 150 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 22 | 8*10.2 | 30 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 33 | 8*10.2 | 36 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 50V | 47 | 10*10.2 | 50 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 100V | 4.7 | 8*10.2 | 50 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 100V | 10 | 8*10.2 | 55 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 100V | 22 | 8*10.2 | 55 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 100V | 33 | 10*10.2 | 65 | 1000 |
| ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค | VT | -55~+105 | 100V | 47 | 10*10.2 | 65 | 1000 |
ข้อมูลจำเพาะทั่วไปของตัวเก็บประจุ:
ตัวเก็บประจุส่วนใหญ่แบ่งออกเป็น 10 ประเภทต่อไปนี้:
1 ตามโครงสร้างของสามประเภท: ตัวเก็บประจุแบบคงที่ ตัวเก็บประจุแบบแปรผัน และตัวเก็บประจุแบบปรับละเอียด
2. การจำแนกตามอิเล็กโทรไลต์: ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกอินทรีย์, ตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกอนินทรีย์, ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า, ตัวเก็บประจุความร้อนไฟฟ้าและตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกอากาศ
3 ตามวัตถุประสงค์: บายพาสความถี่สูง บายพาสความถี่ต่ำ กรอง ปรับแต่ง คัปปลิ้งความถี่สูง คัปปลิ้งความถี่ต่ำ ตัวเก็บประจุขนาดเล็ก
4 ตามวัสดุการผลิตที่แตกต่างกันสามารถแบ่งออกเป็น: พอร์ซเลนความจุอิเล็กทริก, ตัวเก็บประจุโพลีเอสเตอร์, ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า, ตัวเก็บประจุแทนทาลัมและตัวเก็บประจุโพรพิลีนขั้นสูงและอื่น ๆ
5, บายพาสความถี่สูง: ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุไมกา, ตัวเก็บประจุฟิล์มแก้ว, ตัวเก็บประจุ dacron, ตัวเก็บประจุเคลือบแก้ว
6, บายพาสความถี่ต่ำ: ตัวเก็บประจุกระดาษ, ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์, ตัวเก็บประจุ dacron
7, การกรอง: ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์, ตัวเก็บประจุกระดาษ, ตัวเก็บประจุกระดาษคอมโพสิต, ตัวเก็บประจุแทนทาลัมเหลว
8, การปรับ: ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุไมกา, ตัวเก็บประจุฟิล์มแก้ว, ตัวเก็บประจุโพลีสไตรีน
การมีเพศสัมพันธ์ต่ำ: ตัวเก็บประจุกระดาษ, ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์, ตัวเก็บประจุแดครอน, ตัวเก็บประจุแทนทาลัมที่เป็นของแข็ง
10, ตัวเก็บประจุขนาดเล็ก: ตัวเก็บประจุกระดาษที่เป็นโลหะ, ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์, ตัวเก็บประจุโพลีสไตรีน, ตัวเก็บประจุแทนทาลัมที่เป็นของแข็ง, ตัวเก็บประจุเคลือบแก้ว, ตัวเก็บประจุโพลีเอสเตอร์ metallized, ตัวเก็บประจุโพรพิลีน, ตัวเก็บประจุไมกา
นวัตกรรมทางเทคโนโลยี :
ด้วยนักวิจัยที่มีประสบการณ์ ช่างเทคนิค และผู้บริหาร ตลอดจนอุปกรณ์การผลิตและการทดสอบที่ล้ำสมัยนำเข้า
เราสามารถพัฒนาตัวเก็บประจุอลูมิเนียมระดับโลกได้ความสำเร็จของวัสดุได้รับการสร้างขึ้นในแง่ของอายุการใช้งานที่ยาวนาน อุณหภูมิสูงและความต้านทานการกระเพื่อมสูงและ LOWESR
เทคโนโลยีที่ใช้ได้ถึงระดับสูงเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกันในญี่ปุ่น
เราร่วมมือกับมหาวิทยาลัย สถาบันวิจัย และผู้เชี่ยวชาญในประเทศและต่างประเทศเพื่อวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตตัวเก็บประจุและฟอยล์อิเล็กโทรดระดับเฟิร์สคลาสในประเทศจีน
ศูนย์วิจัยและพัฒนา :
แนวทางการวิจัย: การพัฒนาตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ขนาดเล็ก เรียว หน่วงการติดไฟ และปลอดภัย
เทคโนโลยีหลัก: เทคโนโลยีการต้านทานการกระเพื่อมสูง ทนต่ออุณหภูมิสูง (130 ℃) ความต้านทานความถี่สูงและอิมพีแดนซ์ต่ำ และอายุการใช้งานยาวนาน (105 ℃, 12000 ชม.) เป็นต้น
ขณะนี้ เรากำลังพัฒนาเทคโนโลยีหลักใหม่ ได้แก่ การหน่วงการติดไฟและการทนต่อแรงกระแทกและการสั่นสะเทือนสำหรับผลิตภัณฑ์ ดังนั้นโปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลเพิ่มเติม