บ้าน

ผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิต

เกี่ยวกับเรา

ทรัพยากร

ส่ง RFQ

ดาวน์โหลด

บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กทรอนิกส์ > Surface Mount 470UF 35V VZ LZ SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

Surface Mount 470UF 35V VZ LZ SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

หมวดหมู่:

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กทรอนิกส์

ราคา:

Negotiated

วิธีการชำระเงิน:

T/T, Western Union, PAYPAL

ข้อมูลจำเพาะ

หมวดหมู่:

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กทรอนิกส์

ตระกูล:

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

ชุด:

VZ LZ Series ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์ชิป

ความจุ:

0.1UF -470 μF สำหรับตัวเลือก โปรดติดต่อสำหรับข้อมูลเพิ่มเติม

อุณหภูมิในการทำงาน:

-55~ +105℃

ค่าเผื่อความจุ:

±20%(120Hz,+20℃)

แรงดันไฟฟ้า:

6.3v-50v สำหรับตัวเลือก

ประเภทการติดตั้ง:

ติดบนพื้นผิว

แอปพลิเคชั่น:

วัตถุประสงค์ทั่วไป

การทำงาน:

ข้อต่อ,การกรอง

ชื่อผลิตภัณฑ์:

470UF 35V 0.1UF-470UF 6.3V-50V VZ ชิป SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

แสงสูง:

VZ LZ SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

470 ยูเอฟ 35 โวลต์ SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบติดบนพื้นผิว

การแนะนำ

470UF 35V VZ LZ ชิปตัวเก็บประจุ SMD 0.1UF-470UF 6.3V-50V ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

การใช้ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กทรอนิกส์:

เครื่องใช้ไฟฟ้า,
การควบคุมอุตสาหกรรม
พลังงานใหม่
การสื่อสาร,
ยา,
ระบบติดตั้งบนรถ,
แสงสว่าง,
ความปลอดภัย,
อะแดปเตอร์ไฟ,
เมตรและหน่วยสืบราชการลับ

หน้าที่ของตัวเก็บประจุ

1. การมีเพศสัมพันธ์;
2. การกรอง

หมวดหมู่ตัวเก็บประจุของเรา:
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค V-Chip
ตัวเก็บประจุที่เป็นของแข็งอะลูมิเนียมโพลีเมอร์นำไฟฟ้า,
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์แบบเรเดียลอะลูมิเนียม,
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแน็ปอิน
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์แบบสกรู

ข้อมูลจำเพาะของตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ V-Chip:

หมวดหมู่	ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค
ชุด	ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์ V-Chip
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	-55 ~ +105℃
ค่าเผื่อความจุ	±20%(120Hz,+20℃)
จัดอันดับช่วงแรงดันใช้งาน	6.3V - 50V
ช่วงความจุที่กำหนด	0.1μF ~ 470 μF
กระแสไฟรั่ว	L≤0.01CV or3(μA) แล้วแต่จำนวนใดจะวัดได้มากกว่าหลังจากใช้ค่าที่กำหนดเป็นเวลา 2 นาที แรงดันใช้งานที่ +20℃
มาตรฐาน	JIS-C-5101-4 (IEC 60384)
เวลาชีวิต	2000 ชั่วโมง

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค VZ-Chip ลักษณะการทำงาน:

ไดอะแกรมของขนาด:

Surface Mount 470UF 35V VZ LZ SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

VZ LZ Chip SMD Series ตัวเก็บประจุ 0.1UF-470UF 6.3V-50V ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค:

หมวดหมู่	ชุด	ช่วงอุณหภูมิ (℃)	แรงดันไฟฟ้า (V)	ความจุ(ยูเอฟ)	ข้อมูลจำเพาะ	ระลอกปัจจุบัน	อายุการใช้งาน(ชม.)
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	6.3V	22	4*5.4	0.3	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	6.3V	33	4*5.4	0.3	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	6.3V	47	5*5.4	0.3	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	6.3V	100	6.3*5.4	0.3	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	6.3V	220	8*10.2	0.35	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	6.3V	330	8*10.2	0.35	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	10V	22	4*5.4	31	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	10V	33	4*5.4	43	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	10V	47	5*5.4	51	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	10V	100	6.3*5.4	86	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	10V	220	8*10.2	160	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	10V	470	8*10.2	237	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	16V	10	4*5.4	28	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	16V	22	4*5.4	28	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	16V	47	6.3*5.4	70	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	16V	100	6.3*5.4	95	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	16V	220	8*10.2	184	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	16V	330	8*10.2	202	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	25V	4.7	4*5.4	22	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	25V	6.8	4*5.4	25	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	25V	10	5*5.4	35	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	25V	33	6.3*5.4	65	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	25V	100	8*10.2	130	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	25V	220	8*10.2	167	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	35V	10	5*5.4	28	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	35V	22	6.3*5.4	55	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	35V	47	8*10.2	98	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	35V	100	8*10.2	140	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	0.1	4*5.4	1	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	0.22	4*5.4	2	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	0.33	4*5.4	3	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	0.47	4*5.4	5	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	1	4*5.4	10	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	2.2	4*5.4	16	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	3.3	4*5.4	16	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	4.7	5*5.4	23	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	6.8	5*5.4	23	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	10	6.3*5.4	35	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	33	8*10.2	91	2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VZ	-55~+105	50V	47	8*10.2	100	2000

VG Series (0.1uf-1500uf 4v-100v ) ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์แบบชิป:

หมวดหมู่	ชุด	ช่วงอุณหภูมิ (℃)	แรงดันไฟฟ้า (V)	ความจุ(ยูเอฟ)	ข้อมูลจำเพาะ	ระลอกปัจจุบัน	อายุการใช้งาน(ชม.)
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	4V	33	4*5.4	28	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	4V	47	4*5.4	34	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	4V	100	4*5.4	61	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	4V	220	6.3*5.4	96	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	4V	330	6.3*5.4	100	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	4V	470	8*10.2	300	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	4V	1000	8*10.2	500	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	4V	1500	10*10.2	750	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	22	4*5.4	29	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	33	4*5.4	32	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	47	4*5.4	36	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	100	4*5.4	47	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	220	6.3*5.4	74	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	330	6.3*7.7	188	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	470	8*10.2	380	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	1000	8*10.2	500	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	6.3V	1500	10*10.2	750	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	10V	22	4*5.4	28	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	10V	33	4*5.4	29	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	10V	47	5*5.4	47	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	10V	100	6.3*5.4	70	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	10V	220	6.3*7.7	173	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	10V	330	8*10.2	390	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	10V	470	8*10.2	390	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	10V	1000	10*10.2	580	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	16V	10	4*5.4	28	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	16V	22	4*5.4	28	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	16V	33	5*5.4	35	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	16V	47	5*5.4	39	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	16V	100	6.3*5.4	70	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	16V	220	6.3*7.7	162	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	16V	330	8*10.2	320	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	16V	470	8*10.2	350	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	4.7	4*5.4	22	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	10	4*5.4	22	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	22	5*5.4	35	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	33	5*5.4	42	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	47	6.3*5.4	70	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	120	6.3*7.7	143	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	220	8*10.2	230	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	330	8*10.2	270	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	25V	470	10*10.2	380	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	4.7	4*5.4	22	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	10	5*5.4	30	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	22	6.3*5.4	60	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	33	6.3*5.4	60	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	47	6.3*5.4	70	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	68	6.3*7.7	132	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	100	8*10.2	140	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	220	8*10.2	200	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	35V	330	10*10.2	350	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	0.1	4*5.4	1	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	0.22	4*5.4	2	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	0.33	4*5.4	3	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	0.47	4*5.4	5	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	1	4*5.4	10	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	2.2	4*5.4	16	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	3.3	4*5.4	16	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	4.7	4*5.4	18	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	10	5*5.4	27	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	22	6.3*5.4	40	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	47	6.3*7.7	105	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	100	8*10.2	200	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	50V	220	10*10.2	300	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	63V	10	6.3*5.4	35	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	63V	22	8*10.2	40	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	63V	33	8*10.2	45	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	63V	47	8*10.2	45	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	63V	100	10*10.2	60	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	100V	4.7	8*10.2	80	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	100V	10	8*10.2	85	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	100V	22	8*10.2	87	1,000~2000
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค	VG	-55~+85	100V	33	10*10.2	90	1,000~2000

ข้อมูลจำเพาะทั่วไปของตัวเก็บประจุ:

ตัวเก็บประจุส่วนใหญ่แบ่งออกเป็น 10 ประเภทต่อไปนี้:
1 ตามโครงสร้างของสามประเภท: ตัวเก็บประจุแบบคงที่ ตัวเก็บประจุแบบแปรผัน และตัวเก็บประจุแบบปรับละเอียด
2. การจำแนกตามอิเล็กโทรไลต์: ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกอินทรีย์, ตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกอนินทรีย์, ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า, ตัวเก็บประจุความร้อนไฟฟ้าและตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกอากาศ
3 ตามวัตถุประสงค์: บายพาสความถี่สูง บายพาสความถี่ต่ำ กรอง ปรับแต่ง คัปปลิ้งความถี่สูง คัปปลิ้งความถี่ต่ำ ตัวเก็บประจุขนาดเล็ก
4 ตามวัสดุการผลิตที่แตกต่างกันสามารถแบ่งออกเป็น: พอร์ซเลนความจุอิเล็กทริก, ตัวเก็บประจุโพลีเอสเตอร์, ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้า, ตัวเก็บประจุแทนทาลัมและตัวเก็บประจุโพรพิลีนขั้นสูงและอื่น ๆ
5, บายพาสความถี่สูง: ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุไมกา, ตัวเก็บประจุฟิล์มแก้ว, ตัวเก็บประจุ dacron, ตัวเก็บประจุเคลือบแก้ว
6, บายพาสความถี่ต่ำ: ตัวเก็บประจุกระดาษ, ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์, ตัวเก็บประจุ dacron
7, การกรอง: ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์, ตัวเก็บประจุกระดาษ, ตัวเก็บประจุกระดาษคอมโพสิต, ตัวเก็บประจุแทนทาลัมเหลว
8, การปรับ: ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุไมกา, ตัวเก็บประจุฟิล์มแก้ว, ตัวเก็บประจุโพลีสไตรีน
การมีเพศสัมพันธ์ต่ำ: ตัวเก็บประจุกระดาษ, ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์, ตัวเก็บประจุแดครอน, ตัวเก็บประจุแทนทาลัมที่เป็นของแข็ง
10, ตัวเก็บประจุขนาดเล็ก: ตัวเก็บประจุกระดาษที่เป็นโลหะ, ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์, ตัวเก็บประจุโพลีสไตรีน, ตัวเก็บประจุแทนทาลัมที่เป็นของแข็ง, ตัวเก็บประจุเคลือบแก้ว, ตัวเก็บประจุโพลีเอสเตอร์ metallized, ตัวเก็บประจุโพรพิลีน, ตัวเก็บประจุไมกา

นวัตกรรมทางเทคโนโลยี :
ด้วยนักวิจัยที่มีประสบการณ์ ช่างเทคนิค และผู้บริหาร ตลอดจนอุปกรณ์การผลิตและการทดสอบที่ล้ำสมัยนำเข้า
เราสามารถพัฒนาตัวเก็บประจุอลูมิเนียมระดับโลกได้ความสำเร็จของวัสดุได้รับการสร้างขึ้นในแง่ของอายุการใช้งานที่ยาวนาน อุณหภูมิสูงและความต้านทานการกระเพื่อมสูงและ LOWESR
เทคโนโลยีที่ใช้ได้ถึงระดับสูงเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกันในญี่ปุ่น
เราร่วมมือกับมหาวิทยาลัย สถาบันวิจัย และผู้เชี่ยวชาญในประเทศและต่างประเทศเพื่อวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตตัวเก็บประจุและฟอยล์อิเล็กโทรดระดับเฟิร์สคลาสในประเทศจีน

ศูนย์วิจัยและพัฒนา :
แนวทางการวิจัย: การพัฒนาตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ขนาดเล็ก เรียว หน่วงการติดไฟ และปลอดภัย
เทคโนโลยีหลัก: เทคโนโลยีการต้านทานการกระเพื่อมสูง ทนต่ออุณหภูมิสูง (130 ℃) ความต้านทานความถี่สูงและอิมพีแดนซ์ต่ำ และอายุการใช้งานยาวนาน (105 ℃, 12000 ชม.) เป็นต้น

ขณะนี้ เรากำลังพัฒนาเทคโนโลยีหลักใหม่ ได้แก่ การหน่วงการติดไฟและการทนต่อแรงกระแทกและการสั่นสะเทือนสำหรับผลิตภัณฑ์ ดังนั้นโปรดติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลเพิ่มเติม

ส่ง RFQ

คลังสินค้า:

MOQ:

100

ติดต่อเรา

ที่อยู่: ชั้น 12 ทาวเวอร์ E XingHe World LongHua District เซินเจิ้น ประเทศจีน 518000

อีเมล: sales@icschip.com

โทรศัพท์: 86-0755-83677737

ผลิตภัณฑ์

ชิป PMIC

วงจรรวม IC

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

ไมโครคอนโทรลเลอร์ IC

FPGA IC

เซ็นเซอร์ตำแหน่งโรตารีIC

ตัวต้านทานไฟฟ้า

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กทรอนิกส์

คริสตัลออสซิลเลเตอร์

ขั้วต่อขั้วต่อ

ไดโอด ทรานซิสเตอร์

รีเลย์ระบบเครื่องกลไฟฟ้า

ตัวเหนี่ยวนำไฟฟ้า

เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์คัปเปิ้ล

PCBA SMT

บอร์ดพัฒนา Arduino

Surface Mount 470UF 35V VZ LZ SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

VZ LZ SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

470 ยูเอฟ 35 โวลต์ SMD ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบติดบนพื้นผิว

ชิป PMIC

วงจรรวม IC

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

ไมโครคอนโทรลเลอร์ IC

FPGA IC

เซ็นเซอร์ตำแหน่งโรตารีIC

ตัวต้านทานไฟฟ้า

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กทรอนิกส์

คริสตัลออสซิลเลเตอร์

ขั้วต่อขั้วต่อ