1N5822 SS34 Surface Mount Schottky Barrier Rectifier ไดโอด 3.0A 40V
SS34 Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
,1N5822 Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
,ไดโอด Rectifier Barrier 3.0A 40V
1N5822 SS34 Schottky Barrier Rectifier 3.0A 40V เหมาะสำหรับใช้เป็นวงจรเรียงกระแสในอินเวอร์เตอร์ความถี่สูงแรงดันต่ำ
วงจรเรียงกระแส Schottky ใช้หลักการ Schottky Barrier ในไดโอดพลังงานจากโลหะเป็นซิลิคอนขนาดใหญ่
รูปทรงล้ำสมัยของ Schottky Rectifier โดดเด่นด้วยโลหะกั้นโครเมียม โครงสร้างเอพิแทกเซียลพร้อมฟิล์มออกไซด์
และหน้าสัมผัสทับซ้อนของโลหะ
เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้เป็นวงจรเรียงกระแสในอินเวอร์เตอร์แรงดันต่ำ ความถี่สูง ไดโอดล้ออิสระ และไดโอดป้องกันขั้ว
คุณสมบัติ
• vF . ต่ำมาก
• การสูญเสียพลังงานต่ำ/ประสิทธิภาพสูง
• ประจุไฟฟ้าที่เก็บไว้ต่ำ การนำไฟฟ้าส่วนใหญ่ผ่านเครื่องกล
ลักษณะเฉพาะ:
• กรณี: อีพ็อกซี่, แม่พิมพ์ •
น้ำหนัก 1.1 กรัม (โดยประมาณ)
• เสร็จสิ้น: พื้นผิวภายนอกทั้งหมดทนต่อการกัดกร่อนและตะกั่วเทอร์มินัลสามารถบัดกรีได้ง่าย
• อุณหภูมิตะกั่วสำหรับวัตถุประสงค์ในการบัดกรี: สูงสุด 260 °Cเป็นเวลา 10 วินาที
• จัดส่งในถุงพลาสติก ถุงละ 5,000
• จำหน่ายเทปและม้วน
1500 ต่อรีล โดยเพิ่มส่วนต่อท้าย "RL" ให้กับหมายเลขชิ้นส่วน
• ขั้ว: แคโทดที่ระบุโดย Polarity Band
ข้อมูลจำเพาะ:
|
หมวดหมู่
|
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
|
|
ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - Single
|
|
|
ชุด
|
-
|
|
บรรจุุภัณฑ์
|
เทปและกล่อง
|
|
สถานะชิ้นส่วน
|
คล่องแคล่ว
|
|
ประเภทไดโอด
|
Schottky
|
|
แรงดันไฟ - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
|
40 V
|
|
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io)
|
3A
|
|
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
|
525 mV @ 3 A
|
|
ความเร็ว
|
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
|
|
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr
|
2 mA @ 40 V
|
|
ความจุ @ Vr, F
|
-
|
|
ประเภทการติดตั้ง
|
ผ่านรู
|
|
แพ็คเกจ / เคส
|
DO-201AD, แนวแกน
|
|
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
|
DO-201AD
|
|
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
|
150 องศาเซลเซียส (สูงสุด)
|
|
หมายเลขผลิตภัณฑ์หลัก
|
1N5822
|
วงจรเรียงกระแส schottky ที่คล้ายกัน:
Surface Mount SILICON ZENER DIODES แรงดันไฟซีเนอร์ 3.3 ถึง 200 โวลต์ 3 วัตต์การกระจายพลังงาน-1SMB5913B
THRU 1SMB5956B มีครบชุด
| 1SMB5913B |
| 1SMB5914B |
| 1SMB5915B |
| 1SMB5916B |
| 1SMB5917B |
| 1SMB5918B |
| 1SMB5919B |
| 1SMB5920B |
| 1SMB5921B |
| 1SMB5922B |
| 1SMB5923B |
| 1SMB5924B |
| 1SMB5933B |
| 1SMB5925B |
| 1SMB5926B |
| 1SMB5927B |
| 1SMB5928B |
| 1SMB5929B |
| 1SMB5930B |
| 1SMB5931B |
| 1SMB5932B |
| 1SMB5942B |
| 1SMB5934B |
| 1SMB5935B |
| 1SMB5936B |
| 1SMB5937B |
| 1SMB5938B |
| 1SMB5939B |
| 1SMB5940B |
| 1SMB5941B |
| 1SMB5943B |
| 1SMB5944B |
| 1SMB5945B |
| 1SMB5946B |
| 1SMB5947B |
| 1SMB5948B |
| 1SMB5949B |
| 1SMB5950B |
| 1SMB5953B |
| 1SMB5954B |
| 1SMB5955B |
| 1SMB5956B |
| 1SMB5952B |
| 1SMB5951B |
คุณสมบัติ
* ชิปทู่แก้ว
* บรรเทาความเครียดในตัว
* ความเหนี่ยวนำต่ำ
* การกระจายพลังงานย้อนกลับสูงสุดสูง
* การรั่วไหลย้อนกลับต่ำ
* พิกัด ESD ของคลาส 3 (> 20 kV) ต่อแบบจำลองร่างกายมนุษย์
แองเจิลเทคจัดหาไดโอดสวิตชิ่ง, ซีเนอร์ไดโอด, วงจรเรียงกระแสกั้น schottky, วงจรเรียงกระแสบริดจ์, TVS, อุปกรณ์ป้องกัน ESD, ทรานซิสเตอร์สองขั้ว, MOSFET, ไทริสเตอร์ ฯลฯ ซึ่งทั้งหมดเป็นไปตามมาตรฐาน RoHS และ REACHโรงงานที่ผ่านการรับรองของเรามีพนักงานมากกว่า 500 คนที่สามารถผลิตส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ที่เชื่อถือได้อย่างสม่ำเสมอ 1.5 พันล้านต่อปีบริษัทของเราที่มีอุปกรณ์ที่ทันสมัยที่สุดและการจัดการระบบ ERP มุ่งมั่นที่จะสร้างภาพลักษณ์ที่ดีของตลาด โรงงานผ่านการรับรองคุณภาพ ISO9001 การจัดการสิ่งแวดล้อม ISO14001 การรับรองระบบผลิตภัณฑ์ทั้งหมดผ่านการทดสอบ SGS, ROHS และ REACH 1907/2010/EC 48 เกณฑ์ด้วยการปรับปรุงคุณภาพผลิตภัณฑ์อย่างต่อเนื่องและการสนับสนุนทางเทคนิคหลังการขายอย่างมืออาชีพ เราจึงได้รับความไว้วางใจจากลูกค้าในแบรนด์ของบริษัทผลิตภัณฑ์ของเรามีการใช้กันอย่างแพร่หลายใน PC POWER, ไฟเขียว, กล่องรับสัญญาณ, ผลิตภัณฑ์ดิจิตอล, ยานยนต์, ระบบควบคุมอุตสาหกรรม, อุปกรณ์สื่อสาร และสาขาอื่นๆ ซึ่งให้บริการลูกค้าในผู้ผลิตที่มีชื่อเสียงทั้งในประเทศและต่างประเทศ"การแสวงหาความแปลกใหม่ ความประณีต และความใหม่" ถือเป็นนโยบายด้านสิ่งแวดล้อมที่มีคุณภาพของเราเรามีความเชื่อที่ดีและมีความน่าเชื่อถือในผลิตภัณฑ์ของเราหลังจากหลายปีของการพัฒนา ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการยอมรับและยกย่องจากตลาดเราจะสานต่อนวัตกรรมทางเทคโนโลยีเพื่อสร้างมูลค่าให้กับลูกค้าในอนาคต บริษัทของเราจะอุทิศตนเพื่อพัฒนาการพัฒนาอุตสาหกรรมตลาดอิเล็กทรอนิกส์เซมิคอนดักเตอร์ เพื่อตอบสนองความท้าทายในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ทั่วโลกที่รวดเร็วยิ่งขึ้น