CSPBGA SiT8021 SITIME MEMS Oscillator สำหรับโปรโตคอลความเร็วสูง
หมวดหมู่:
คริสตัลออสซิลเลเตอร์
ราคา:
Negotiated
วิธีการชำระเงิน:
T/T, Western Union
ข้อมูลจำเพาะ
ชื่อผลิต:
MEMS OSC 4.03200MHZ SMD
บรรจุุภัณฑ์:
UFBGA
ชุด:
ออสซิลเลเตอร์ความถี่มาตรฐานกำลังต่ำ
หมวดหมู่:
คริสตัล ออสซิลเลเตอร์ เรโซเนเตอร์ คริสตัล
พิมพ์:
SiT8021
ความถี่ที่กำหนด:
4.032 MHz
ความเสถียรของความถี่:
±100ppm
เอาท์พุต:
LVCMOS
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งบนพื้นผิว
แสงสูง:
SiT8021 SITIME MEMS Oscillator
,CSPBGA SITIME MEMS Oscillator
,เครื่องสะท้อนเสียง sitime mems
การแนะนำ
SIT8021AC-J4-18S-4.032000 SiT8021 SITIME MEMS Oscillator สำหรับโปรโตคอลอนุกรมความเร็วสูง
SITIME MEMS Oscillator SIT8021AC-J4-18S-4.032000 SiT8021 สำหรับโปรโตคอลอนุกรมความเร็วสูง
แอพพลิเคชัน:
เหมาะอย่างยิ่งสำหรับ DSC, DVC, DVR, IP CAM, แท็บเล็ต, e-Books, SSD, GPON, EPON ฯลฯ
เหมาะอย่างยิ่งสำหรับโปรโตคอลอนุกรมความเร็วสูง เช่น USB, SATA, SAS,
Firewire, อีเธอร์เน็ต 100M / 1G / 10G เป็นต้น
ข้อมูลจำเพาะ:
|
หมวดหมู่
|
คริสตัล ออสซิลเลเตอร์ เรโซเนเตอร์
|
|
ออสซิลเลเตอร์
|
|
|
Mfr
|
SiTime
|
|
ชุด
|
SiT8021
|
|
บรรจุุภัณฑ์
|
เปลื้องผ้า
|
|
สถานะชิ้นส่วน
|
คล่องแคล่ว
|
|
ตัวสะท้อนฐาน
|
MEMS
|
|
พิมพ์
|
XO (มาตรฐาน)
|
|
ความถี่
|
4.032 MHz
|
|
การทำงาน
|
สแตนด์บาย (ปิดเครื่อง)
|
|
เอาท์พุต
|
LVCMOS
|
|
แรงดันไฟ - อุปทาน
|
1.8V
|
|
ความเสถียรของความถี่
|
±100ppm
|
|
ช่วงการดึงแบบสัมบูรณ์ (APR)
|
-
|
|
อุณหภูมิในการทำงาน
|
-20 °C ~ 70 °C
|
|
สเปรดสเปกตรัมแบนด์วิดท์
|
-
|
|
ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด)
|
130µA
|
|
คะแนน
|
-
|
|
ประเภทการติดตั้ง
|
ติดบนพื้นผิว
|
|
แพ็คเกจ / เคส
|
4-UFBGA, CSPBGA
|
|
ขนาด / ขนาด
|
กว้าง 0.059" x สูง 0.031" (1.50 มม. x 0.80 มม.)
|
|
ความสูง - นั่ง (สูงสุด)
|
0.024" (0.60 มม.)
|
|
ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดการใช้งาน) (สูงสุด)
|
1.3µA
|
สินค้าเพิ่มเติมสำหรับ SITIME MEMS Oscillator:
| ส่วนหนึ่ง # | ความถี่ | แรงดันไฟ - อุปทาน | ความเสถียรของความถี่ | ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด) | แพ็คเกจ / เคส |
| SIT9386AE-4B3-33N156.250000E | 156.25 MHz | 3.3V | ±50ppm | 92mA | 6-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT2044BM-S1-33EA50.000000X | 50 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.8mA | SC-74A, SOT-753 |
| SIT2044BM-S1-33EA50.000000G | 50 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.8mA | SC-74A, SOT-753 |
| SIT8021AC-J4-18S-4.032000 | 4.032 MHz | 1.8V | ±100ppm | 130µA | 4-UFBGA, CSPBGA |
| SiT8021AC-J4-18S-15.000000 | 15 MHz | 1.8V | ±100ppm | 130µA | 4-UFBGA, CSPBGA |
| SIT8021AC-J4-XXS-16.000000 | 16 MHz | 2.25V ~ 3.63V | ±100ppm | 160µA | 4-UFBGA, CSPBGA |
| SIT1602BIU32-33N-19.200000 | 19.2 MHz | 3.3V | ±25ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BIU32-33N-19.200000 | 19.2 MHz | 3.3V | ±25ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SiT8008BC-31-18E-15.000000 | 15 MHz | 1.8V | ±20ppm | 3.9mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BI-31-18E-100.000000 | 100 MHz | 1.8V | ±20ppm | 3.9mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BIA73-33E-39.321600 | 39.3216 MHz | 3.3V | ±50ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BI-71-YYE-12.000000 | 12 MHz | 1.62V ~ 3.63V | ±20ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BIL71-33S-16.000000 | 16 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BI-71-33E-3.571200 | 3.5172 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT2001BCLS2-33S-8.000000 | 8 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.5mA | SC-74A, SOT-753 |
| SIT8008BI-13-YYS-25.600000 | 25.6 MHz | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT1602BIR13-33E-25.000000 | 25 MHz | 3.3V | ±50ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8924BI-13-18E-25.000000 | 25 MHz | 1.8V | ±50ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8924BI-23-33S-16.000000 | 16 MHz | 3.3V | ±50ppm | 4.8mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8918BEF12-33S-8.000000 | 8 MHz | 3.3V | ±25ppm | 4.7mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT3808AI-22-33NZ-50.000000 | 50 MHz | 3.3V | ±25ppm | 33mA | 6-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8918BE-81-33E-33.177600 | 33.1776 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.7mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8918BE-13-XXN-24.000000 | 24 MHz | 2.5V ~ 3.3V | ±50ppm | 4.7mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8918BE-13-XXN-8.000000 | 8 MHz | 2.5V ~ 3.3V | ±50ppm | 4.7mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BI-82-33E-40.550400 | 40.5504 MHz | 3.3V | ±25ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BI-21-33N-33.330000 | 33.33 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT9003AI-33-25DO-33.33300 | 33.333 MHz | 2.5V | ±50ppm | 4.1mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BI-21-18E-60.000000 | 60 MHz | 1.8V | ±20ppm | 3.9mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BC-81-33E-25.093750 | 25.09375 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8008BC-81-XXE-25.093750 | 25.09375 MHz | 2.25V ~ 3.63V | ±20ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SiT8008BC-81-XXE-25.000625 | 25.000625 MHz | 2.25V ~ 3.63V | ±20ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT2024BI-S2-33E-25.000000 | 25 MHz | 3.3V | ±25ppm | 4.8mA | SC-74A, SOT-753 |
| SIT9003ACU83-33ED-12.00000 | 12 MHz | 3.3V | ±50ppm | 4.1mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8924BE-23-XXE-103.680000 | 103.68 MHz | 2.5V ~ 3.3V | ±50ppm | 4.8mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8924BI-11-33E-64.000000 | 64 MHz | 3.3V | ±20ppm | 4.8mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8924BE-22-XXE-103.680000 | 103.68 MHz | 2.5V ~ 3.3V | ±25ppm | 4.8mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8924BE-21-XXE-33.333000 | 33.333 MHz | 2.5V ~ 3.3V | ±20ppm | 4.8mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8924BA-12-18N-24.000000 | 24 MHz | 1.8V | ±25ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT9005AI-13-33DO3.110000 | 3.11 MHz | 3.3V | ±50ppm | 6.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8924BA-81-18E-22.579200 | 22.5792 MHz | 1.8V | ±20ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT8920BM-33-18E-20.000000 | 20 MHz | 1.8V | ±50ppm | 4.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT9005AI-13-33DO8.334959 | 8.334959 MHz | 3.3V | ±50ppm | 6.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
| SIT9005AI-13-33DO5.151288 | 5.151288 MHz | 3.3V | ±50ppm | 6.5mA | 4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว |
รายละเอียดสินค้า
คุณสมบัติ:
52 ความถี่มาตรฐานระหว่าง 3.57 MHz ถึง 77.76 MHz
แทนที่ดรอปอินแบบพินต่อพิน 100% เป็น XO . แบบควอตซ์
ความเสถียรของความถี่รวมที่ดีเยี่ยมที่ต่ำเพียง ±20 ppm
อุณหภูมิในการทำงานตั้งแต่ -40°C ถึง 85°Cสำหรับ 125 °C และ/หรือ -55 °C
ตัวเลือก อ้างถึง SiT1618, SiT8918, SiT8920
ใช้พลังงานต่ำเพียง 3.5 mA โดยทั่วไปที่ 1.8V
โหมดสแตนด์บายเพื่ออายุการใช้งานแบตเตอรี่ที่ยาวนานขึ้น
เวลาเริ่มต้นอย่างรวดเร็ว 5 ms
เอาต์พุตที่เข้ากันได้กับ LVCMOS/HCMOS
แพ็คเกจมาตรฐานอุตสาหกรรม: 2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5,
5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 มม. x มม
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH ปราศจาก Pb ปราศจากฮาโลเจน และปราศจากพลวง
ข้อมูลจำเพาะ:
|
หมวดหมู่
|
คริสตัล ออสซิลเลเตอร์ เรโซเนเตอร์
|
|
ออสซิลเลเตอร์
|
|
|
Mfr
|
SiTime
|
|
ชุด
|
SiT1602
|
|
บรรจุุภัณฑ์
|
เปลื้องผ้า
|
|
สถานะชิ้นส่วน
|
คล่องแคล่ว
|
|
ตัวสะท้อนฐาน
|
MEMS
|
|
พิมพ์
|
XO (มาตรฐาน)
|
|
ความถี่
|
54 MHz
|
|
การทำงาน
|
เปิดปิด
|
|
เอาท์พุต
|
LVCMOS
|
|
แรงดันไฟ - อุปทาน
|
3.3V
|
|
ความเสถียรของความถี่
|
±25ppm
|
|
ช่วงการดึงแบบสัมบูรณ์ (APR)
|
-
|
|
อุณหภูมิในการทำงาน
|
-40°C ~ 85°C
|
|
สเปรดสเปกตรัมแบนด์วิดท์
|
-
|
|
ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด)
|
4.5mA
|
|
คะแนน
|
-
|
|
ประเภทการติดตั้ง
|
ติดบนพื้นผิว
|
|
แพ็คเกจ / เคส
|
4-SMD ไม่มีสารตะกั่ว
|
|
ขนาด / ขนาด
|
กว้าง 0.276" x 0.197" (7.00 มม. x 5.00 มม.)
|
|
ความสูง - นั่ง (สูงสุด)
|
0.039" (1.00 มม.)
|
ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
100pcs